دانلود بررسی چگونگی یون گیری واكنشی در فایل ورد (word)

مقدمه :
یون گیری واكنشی- PECVD- Ashing- پراكنده كردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیك پلاسما- عكس العمل سطوح نسبت به یكدیگر
سخنران: Herbert H.Sawin
پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم كامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر كمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شده سمینار:    July 8-12,2002كمبریج، ماساچوست
•    ارزیابی های سمینار
•    معرفی سمینار
•    طرح كلی سمینار
•    شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
•    زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام كنندگان
•    روند كار و نوع سمینار
•    اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
•    اطلاعات ثبت نام
•    آموزش در سایت
•    یادداشتهای نمونه سمینار
•    مقالات اخیر ساوین
•    تماس ها برای سوالات
•    ثبت نام در وب سایت
•    اطلاعات ناحیه بوستون
•    سوابق آقای ساوین
 
1-معرفی
•    فیزیك پلاسما
•    فرآیند ریزالكترونیك
2-سیفتیك گازی (Gas Kinetics)
•    مدل سیفتیك گازی
•    مدل توزیع ماكسول- بولتزمن
•    مدل گازی ساده شده
•    محتوای انرژی
•    نرخ برخورد بین مولكولها
•    مسیر آزاد
•    سیالیت عددی ذرات گاز روی یك سطح
•    فشار گازی
•    خواص انتقال
•    جریان گاز
•    وضعیت سیال
•    رسانایی رساناها
•    احتمال برخورد
•    پراكندگی گاز- گار
•    پراكندگی ذره از یك آرایش ثابت
•    انتشار ارتجاعی
•    برخورد غیر ارتجاعی
•    نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
•    عكس العمل های فاز- گازی
3-فیزیك پلاسما
•    توزیع انرژی الكترونی
•    سینتیك همگونی پلاسما
•    مدل توزیع (مارجینوا)
•    مدل توزیع (دروی وشتاین)
•    انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
•    سینتیك گاز رقیق شده
•    شكافت انتشار دو قطبی
•    تجمع غلاف
•    سینتیك ساده غلاف
•    حفاظت یا پوشش «دیبای»
•    تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
•    آزمایش غلاف بوهم
•    خصوصیات میله آزمایش
•    شكست و نگهداری، تخلیه rf
•    تقریب میدان مشابه
•    تقریب میدان غیرمشابه
•    مدل سازی ئیدرودینامیك خودساخته تخلیه rf
•    اندازه گیری تخریب rf
•    مدل توازن الكترونیكی
•    مقایسه تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
•    ارائه مدل به سبك مونت كارلوی تخلیه rf
•    خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
•    سیستم همگن (متقارن)
•    توزیع ولتاژ در سیستم rf
•    توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
•    مدار معادل تخلیه rf
•    تنظیم الكترودها
•    سینتیك بمباران یونی
•    تخلیه اپتیكی
•    لم اندازه گیری حركت
•    ریزنگاری تخلیه اپتیكی
•    فرآیند برخورد الكترون
•    برخورد الكترونی اكسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)
•    امیژن ثانویه الكترون در بمباران یونی
•    بمباران خنثی امیژن ثانویه
•    عمل فتوامیژن الكترونهای ثانوی
•    ناحیه كاتدی
•    یونیزاسیون در غلاف
•    توزیع انرژی یونها
•    الكترونهای اشعه ای (الكترونهای سریع)
•    ناحیه آند
•    مدل سازی پلاسمایی DC
5-تخلیه های Rf
•    فیزیك پلاسمای rf خازنی
•    فیزیك تخلیه RF كه بصورت القایی فردوج شده اند.
•    فیزیك تخلیه رزونانس الكترون- سیلكوترون
•    فیزیك تخلیه هلیكون

پیكره بندی و سخت افزار رآكتور
•    همگن كردن شبكه ها و تنظیم كننده ها
•    شبكه های الكترونیكی همسان ساده شده
•    تنظیم كننده های موج كوتاه
•    رآكتورهای لوله ای
•    رآكتورهای صفحه موازی (دیودی)
•    رآكتورهای صفحه موازی نامتقارن
•    گیرندگان یون واكنشی
•    گیرندگان واكنشی یون كه بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
•    گیرندگان اشعه یون واكنشی
•    بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
•    گیرندگان دیودی ارتجاعی
•    رآكتورهای تریودی
•    بایاسینگ Rf
•    محدود كردن مغناطیسی چند قطبی
•    منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
•    ECR توزیع شده
•    منابع در حال جریان نزولی
•    ماگنترولها
•    مونتاژ كردن لایه لایه ای
•    تبرید برگشتی هلیوم
•    محكم كاری الكترواستاتیك
•    جستجوی نقطه نهایی
•    تجزیه و تحلیل تخلیه اپتیكی
•    ثبت حركات تداخلی
•    ثبت لیزری امواج یا حركات تداخلی
•    مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
•    فاز گازی
•    تولید اتم اكسیژن
•    بارگزاری رآكتورها
•    واكنشهای سطحی
•    شیمی لایه هایی كه خود بخود واكنش دارند.
•    ارتقاء پلمیری
•    سینتیك مواد نشتی یا رطوبت ده
•    الكترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
•    اتمهایی كه با گرفتن یون ارتقاء پیدا می كنند مثل Cl و Cl+
•    پراكندگی و جایگزی حاصل الكترون گیری مثل 
•    مدلهای سینتیك الكترون گیری پلی سیلیكون
•    الكترونگیری پلی سیلیكون مرتب شده
•    الكترون گیری اكسید كه توسط یون زیاد شده
•    الكترون گیری ضد نور كه توسط یون زیاد شده
•    مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الكترون گیری خود بخود شیمیایی.
طیف نگاری تخلیه اپتیكی
•    توده نگاری میكروسكوپی
•    میله آزمایش لانگ میر
•    فلورسنت القایی با لیزر
•    تحلیل امپدانس پلاسمایی
•    ثبت تداخل با لایه های كاملاً چسبیده
8-الكترون گیری جلوه ها
•    ده مبارزه برتر الكترون گیری
•    مكانیزمهای گسترش مقطعی
•    جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
•    پراكندگی یونی در جوله های خاص
•    تغییر سطوح در جلوه های ویژه
•    الكترون دهی و الكترون گیری با پراكندگی
•    اتم گیری با القاء یونی
•    اتم گیری خودبخود
•    جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
•    جابجایی مجدد بوسیله خط دید تولیدات
•    شكست
•    جاذبه بالقوه تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
•    نسبت منظری الكترون گیری وابسته
•    تجمع نامتقارن در الكترون گیری پلی سیلیكونی و فلزات
9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی
•    مدل سازی سطحی ساده شده
•    خصوصیات شبیه ساز مونت كارلو
•    مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
•    پراكندگی یكنواخت و غیریكنوخت
•    انتشار فیزیكی و الكترون گیری با یون فزاینده
•    پراكندگی از قسمت سطح منبع
•    ارتقاء كیفیت سطحی
•    مقایسه نتایج آزمایشی و مدل سازی
•    تجمع شكافتهای میكروسكوپی به وسیله پراكندگی یونها
•    پراكندگی یونی
•    جهت دار شدن یونی
•    زاویه ماسك
•    تركیب مجدد سطحی
•    جابجایی   از پلاسما
•    تأثیر تغییر مكان بر وضع ظاهری
•    خشن كردن سطوح در حین اتم گیری
10-تخریب پلاسما
•    آلودگی
•    خصوصیات منحصر به فرد
•    تخریب دروازه با اكسید شدن- ذرات پوز
•    تخریب دروازه با اكسید شدن- فشار الكتریكی
•    تخریب چهارچوبها و قابها
•    خوردگی بعد از اتم گیری
11-فرآیندهای اتم گیری
•    الكترون گیری و الكترون دهی اعضا
•    پلی سیلیكون
•    الكترون گیری دروازه ای
•    الكترون گیری اكسیدی
•    الكترون گیری نیتریدی
•    الكترون گیری دی الكتریك با K پائین
•    الكترون گیری آلومینیوم
•    الكترون گیری مس
12-جابجایی
•    انتشار
•    جرقه ها، قوس های الكتریكی، بی ثباتی ها
•    جابجایی انتشار بایاس
•    تنظیم با خط صحیح دید
•    منابع رطوبت ده با غلظت بالا
•    تركیب و آلیاژ
•    جابجایی انتشاری عكس العملی
•    مقدمه چینی برای هدف
•    جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
•    وسایل و تجهیزات مربوط به VD
•    تمیز كردن اطاقك واكنش
•    عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
•    نیترید سیلیكون
•    دی اكسید سیلیكون
•    آكسی فلورید یدهای سیلیكون
•    اكسیدهای سیلیكون و كربن
•    لایه های پرفلور و كربن
13-پردازش كار با پلاسما در سطو بزرگ
•    جدای یك منبع با فاصله از یك لایه زیرین
•    استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
•    مقیاس گذاری منابع پلاسما
•    منابع پلاسمای خطی
•    منابع جاری پلاسما
14-رآكتورهای لایه لایه ستونی ماكروویو كه در فشارهای بالا عمل می كنند
•    وسایل عمل آزمایشی
•    آزمایشات
•    مشخص كردن خصوصیات فرآورده های بعدی
•    مكانیزم پیش بینی شده برای كاهش 
•    استفاده از واحد كاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
•    كاهش PFCهای دیگر
•    جمع بندی
•    كاهش پیودهای اندوكسیونی با پلاسما
•    سابقه
•    خلاصه نتایج
•    نمره تحقیقات و نتایج
•    محاسبات سینیك شیمیایی
•    رآكتورهای كاهنده تجارتی
•    رآكتورهای كاهنده تجارتی موج سطحی
15-فرآیند پلاسمای غیر میكروالكترونیك
•    استرلیزه كردن با پلاسما
•    صفحه مدار چاپی از نوع دوتایی كه با چسب به هم متصل می شوند
•    مراحل پردازش میكرومكانیكی
•    الكترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
•    الكترون گیری Si در سیستم STS
•    نسبت الكترون گیری
•    نسبت منظری پیامد الكترون گیری RIE وابسته
•    نسبت الكترون گیری ضد نور
•    متحدالشكل بودن
•    عوامل تقویت كننده
16-ضمیمه
17-مرجع ها

مراجع
1.J.C Arnold and H.H Sawin, J.Apple. Phys. 70, 5314 (1991)
2.G.S H Wang and K.P. Gipis, J. Vac. Sci. Technol. B15, 70(1996)
3.T.Kinoshita, M. Hane and J.P. Mcvittie, J.Vac.sci. Technol.B14, 560(1996)
4.S.M. Sze, physics of Semiconducte Devises, wiley & Sons, N.Y(1981)
5.D.A. Baglee, Pro,22nd IEEE Rel. Phys. Symp.152(1984)
6.Y.L. Shen, S.Suresh, and I.A.Bleeh, J.apple.phys.80,1388(1996)
7.T.Nozawa, T.Kinoshita, T.Nishizuka, A.Narai,,.T. Inooue, and A. Nakaue, Japn.J.Apple. Phys.34, 2107
8.E.A Ogryzlo, D.E. Ibbotson, D.L. Flamm and L.A.Mucha, J.Appl. Phys.67.3115(1990)
9.F.Hiule J chem. Phys.79, 4237(1983).
10.K.K.Chi, H.S. Shin, W.J. Yoo, C.O.Jung Y.B. Koh and M.Y. Lee, Jpn, J.A.Appl. Phys. 35, 2440(1996)
11.T.Mara Yama, N.Fajiwara,S.Ogino and M.Y. Yoned, JPn. J.Apple. Phys.36.2526(1997)
12.S.Tabara, Jpn. J.Appl.Phys.35, 2456(1996).