مقاله بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی pdf

توضیحات

 مقاله بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی pdf دارای 14 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی pdf  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی pdf،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی سینتیک کریستالیزاسیون (تبلور) لایه های نازک آمورف از جنس آلیاژهای حافظه دار NiTi تهیه شده به روش کندوپاش مغناطیسی pdf :

تعداد صفحات:14

چکیده:

لایه های نازک آلیاژ حافظه دار NiTi توسط روش کندوپاش مغناطیسی تهیه گردید. به دلیل تولید این لایه ها د ردمای اتاق (پایین) ساختار آنها بلافاصله پس از تولید آمئرف می باشد. پراش پرتوایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و گرماسنجی افتراقی (DSC) با روش غیر هم دما (گرمایش با نرخ ثابت) به منظور بررسی میکرو یاختار، تعیین انرژی فعال سازی و مکانیزم رشد و جوانه زنی بکار برده شد. وابستگی سرعت رشد و دمای کریستالیزاسون با استفاده از الگوهای DSC تعیین گردید. نتایج نشان داد دمای تبلور و ماکزیمم سرعت استحاله فاز آمورف به کریستاله (متبلور) با افزایش نرخ گرمایش، بیشتر می شوند همچین جوانه زنی پیوسته و رشد یک بعدی تحت کنترل فصل مشترک مکانیزم غالب در استحاله می باشند. انرژی فعال سازی نیز 370/94Kj/mole می باشد که با استافده از روش ماتوسیتا و کسینجر اصلاح شده محاسبه گردید.

برای دریافت اینجا کلیک کنید