توضیحات

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 تحقیق در مورد انواع حافظه های کامپیوتری دارای 33 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تحقیق در مورد انواع حافظه های کامپیوتری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تحقیق در مورد انواع حافظه های کامپیوتری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن تحقیق در مورد انواع حافظه های کامپیوتری :

انواع حافظه های کامپیوتری

مقدمه
استفاده از كامپیوتر در ایران از چند سال قبل رایج شده است . امروزه در موارد متعددی از كامپیوتراستفاده بعمل می آید. چرخه استفاده از كامپیوتر از مرحله تهیه سخت افزارهای لازم شروع و در ادامه با نصب تجهیزات سخت افزاری زمینه استفاده از مقولات دیگر نظیر : نرم افزار، شبكه ،اینترنت و ; فراهم میگردد. در زمینه بكارگیری و استفاده از پتانسیل های فوق سوالات متعدد كاربردی برای هر یك از كاربران با سطوح متفاوت اطلاعاتی مطرح بوده و خواهد بود. تنها با یافتن پاسخ مناسب علمی به هر یك از موارد مطرح شده است كه می توان امیدوار به ایجاد یك زیر ساخت مناسب فرهنگی بمنظور استفاده از كامپیوتر در جایگاه واقعی خود بود. در صورت نیل به هدف فوق شتاب حركات هدفمند بمنظور نهادینه شدن فرهنگ عمومی استفاده و بكارگیری سیستم های سخت افزاری نرم افزاری و شبكه سیر منطقی و معقول خود را طی خواهد كرد.

در این بخش به سوالات متداول در زمینه كامپیوتر پرداخته و با ارائه پاسخ های مناسب علمی گامی هر چند اندك در زمینه ایجاد و بهینه سازی فرهنگ استفاده از كامپیوتر در كشور بردارد. بدین منظور بخش های متعدد ایجاد و با ساختاری كه در قسمت سمت راست این صفحه مشاهده می نمائید سازماندهی شده اند. سوالات موجود در هر بخش به مرور زمان افزایش خواهند یافت . روش پاسخ به سوالات مورد نظر بصورت كاملا” علمی و مختصر خواهد بود. كاربران با مراجعه به هر یك از بخش های فوق و انتخاب سوال مورد نظر قطعا” پاسخی مناسب را دریافت خواهند كرد. هدف از راه انداری این بخش، ایجاد یك ” دایره المعارف علمی ” در رابطه با كامپیوتر با بهره گیری از پتانسیل های وب است . این بخش كاملا” پویا بوده و سعی خواهد شد كه همواره “حرفی تازه” برای كاربران داشته باشد.

منابع : برای تهیه مطالب این بخش، از سایت های متعدد استفاده شده است . سایت http://www.howstuffworks.com/ بعنوان هسته اصلی مطالب این بخش می باشد. پیشاپیش از مدیریت سایت معظم فوق، Marshall Brain تشكر كرده و امیدواریم سایت فوق همچنان یكی از موفق ترین سایت های موجود بر روی اینترنت باشد. از سایر نویسندگان مقالات كه از مطالب آنها در تهیه محتویات این بخش استفاده شده ، تشكر كرده و از اینكه اسامی آنان ذكر نشده ، پوزش ما را پذیرا باشند. یكی دیگر از سایت هائی كه از آن برای تهیه مطالب این بخش استفاده شده است ،
http://www.microsoft.com/ است .

سخت افزار
حافظه ROM
. این نوع از حافظه ها علاوه بر استفاده در كامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الكترونیكی نیز بخدمت گرفته می شوند . :
• ROM
• PROM
• EPROM
• EEPROM

• Flash Memory
هر یك از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:
• داد های ذخیره شده در این نوع تراشته ها ” غیر فرار ” بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند.
• داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

مبانی حافظه های ROM
حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبكه ای از سطر و ستون تشكیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر وستون در یك نقظه یكدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت اساسی با تراشه های RAM می باشند. حافظه RAM از ” ترانزیستور ” بمنظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یك ” خازن ” در نقاط برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیكه تراشه های ROM از یك ” دیود” (Diode) استفاده می نماید. در صورتیكه خطوط مربوطه “یك”

باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار “صفر” باشد خطوط به یكدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا” امكان حركت ” جریان ” را در یك جهت ایجاد كرده و دارای یك نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا” (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می كند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیكون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا” معادل شش دهم ولت است .با بهره گیری از

ویژگی منحصر بفرد دیود، یك تراشه ROM قادر به ارسال یك شارژ بالاتر از Forward breakover و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی ground شده در یك سلول خاص است .در صورتیكه دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد، شارژ هدایت شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یك )، سلول یك خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیكه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.

همانطور كه اشاره گردید، تراشه ROM ، مستلزم برنامه نویسی وذخیره داده در زمان ساخت است . یك تراشه استاندارد ROM را نمی توان برنامه ریزی مجدد و اطلاعات جدیدی را در آن نوشت . در صورتیكه داده ها درست نبوده و یا مستلزم تغییر و یا ویرایش باشند، می بایست تراشه را دور انداخت و مجددا” از ابتدا عملیات برنامه ریزی یك تراشه جدید را انجام داد.فرآیند ایجاد تمپلیت اولیه برای تراشه های ROM دشوار است .اما مزیت حافظه ROM بر برخی معایب آن غلبه می نماید. زمانیكه تمپلیت تكمیل گردید تراشه آماده شده، می تواند بصورت انبوه و با قیمت ارزان به فروش رسد.این نوع از حافظه ها از برق ناچیزی استفاده كرده ، قابل اعتماد بوده و در رابطه با اغلب دستگاههای الكترونیكی كوچك، شامل تمامی دستورالعمل های لازم بمنظور كنترل دستگاه مورد نظر خواهند بود.استفاده از این نوع تراشه ها در برخی از اسباب بازیها برای نواختن موسیقی، آواز و ; متداول است .
حافظه PROM

تولید تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزینه بالائی است .بدین منظور اغلب تولید كنندگان ، نوع خاصی از این نوع حافظه ها را كه PROM )Programmable Read-Only Memory) نامیده می شوند ، تولید می كنند.این نوع از تراشه ها با محتویات خالی با قیمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی كه Programmer نامیده می شوند ، برنامه ریزی گردند. ساختار این نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با

این تفاوت كه در محل برخورد هر سطر و ستون از یك فیوز( برای اتصال به یكدیگر) استفاده می گردد. یك شارژ كه از طریق یك ستون ارسال می گردد از طریق فیوز به یك سلول پاس داده شده و بدین ترتیب به یك سطر Grounded كه نماینگر مقدار “یك” است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اینكه تمام سلول ها دارای یك فیوز می باشند، درحالت اولیه ( خالی )، یك تراشه PROM دارای مقدار اولیه ” یك” است . بمنظور تغییر مقدار یك سلول به صفر، از یك Programmer برای

ارسال یك جریان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بین سطر و ستون (سوختن فیوز) خواهد كرد. فرآیند فوق را ” Burning the PROM ” می گویند. حافظه های PROM صرفا” یك بار قابل برنامه ریزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شكننده تر بوده و یك جریان حاصل از الكتریسیته ساكن، می تواند باعث سوخته شدن فیور در تراشه شده و مقدار یك را به صفر تغییر نماید. از طرف دیگر ( مزایا ) حافظه ای PROM دارای قیمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای یك ROM ، قبل از برنامه ریزی نهائی كارآئی مطلوبی دارند.

حافظه EPROM
استفاده كاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نیاز به اعمال تغییرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغییرات و اصلاحات در این نوع حافظه ها می تواند به صرف هزینه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نیاز های مطح شده است ( نیاز به اعمال تغییرات ) تراشه های EPROM را می توان چندین مرتبه باز نویسی كرد. پاك نمودن محتویات یك تراشه EPROM مشتلزم استفاده از دستگاه

خاصی است كه باعث ساطع كردن یك فركانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پیكربندی این نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از یك Programmer از نوع EPROM است كه یك ولتاژ را در یك سطح خاص ارائه نمایند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) این نوع حافظه ها ، نیز دارای شبكه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در یك EPROM سلول موجود در نقظه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزیستور است .ترانزیستورهای فوق توسط یك لایه نازك اكسید از یكدیگر جدا شده اند. یكی از ترانزیستورها Floating Gate و دیگری Control Gate نامیده می شود. Floating gate صرفا” از طریق Control gate به سطر مرتبط است. مادامیكه لینك برقرارباشد سلول دارای مقدار یك خواهد بود. بمنظور تغییر مقدار فوق به صفر به فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نیاز خواهد بود

.Tunneling بمنظور تغییر محل الكترون های Floating gate استفاده می گردد.یك شارژ الكتریكی بین 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخلیه خواهد گردید. شارژ فوق باعث می گردد كه ترانزیستور floating gate مشابه یك “پخش كننده الكترون ” رفتار نماید . الكترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اكسید به دام افتاد و یك شارژ منفی را باعث می گردند. الكترون های شارژ شده

منفی ، بعنوان یك صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد كرد. در صورتیكه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد در اینصورت مقدار “یك” را دارا خواهد بود.زمانیكه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به “صفر” تغییر پیدا خواهد كرد.یك تراشه EPROM دارای گیت هائی است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یك را دارا است.

بمنظور باز نویسی یك EPROM می بایست در ابتدا محتویات آن پاك گردد. برای پاك نمودن می بایست یك سطح از انرژی زیاد را بمنظور شكستن الكترون های منفی Floating gate استفاده كرد.در یك EPROM استاندارد ،عملیات فوق از طریق اشعه ماوراء بنفش با فركانس 253/7 انحام می گردد.فرآیند حذف در EPROM انتخابی نبوده و تمام محتویات آن حذف خواهد شد. برای حذف یك EPROM می بایست آن را از محلی كه نصب شده است جدا كرده و به مدت چند دقیقه زیر اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاك كننده EPROM قرار داد.

حافظه های EEPROM و Flash Memory
با اینكه حافظه ای EPROM یك موفقیت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی كماكن نیازمند بكارگیری تجهیزات خاص و دنبال نمودن فرآیندهای خسته كننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است كه به یك شارژ نیاز باشد. در ضمن، فرآیند اعمال تغییرات در یك حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نیاز و بصورت تصاعدی صورت پذیرد و در ابتدا می بایست تمام محتویات را پاك نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نیازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهیلات زیر ارائه می گردد:
• برای بازنویسی تراشه نیاز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.

• برای تغییر بخشی از تراشه نیاز به پاك نمودن تمام محتویات نخواهد بود.
• اعمال تغییرات در این نوع تراشه ها مستلزم بكارگیری یك دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الكترون های هر سلول را با استفاده از یك برنامه محلی و بكمك یك میدان الكتریكی به وضعیت طبیعی برگرداند. عملیات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا” آنها را بازنویسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه یك بایت را تغییر خواهند داد.فرآیند اعمال تغییرات در تراشه های فوق كند بوده و در مواردی كه می بایست اطلاعات با سرعت تغییر یابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

تولیدكنندگان با ارائه Flash Memory كه یك نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدودیت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Falsh از مدارات از قبل پیش بینی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بكمك ایجاد یك میدان الكتریكی). در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را كه ” بلاك ” نامیده می شوند، را حذف كرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاك هائی كه معمولا” 512 بایت می باشند ( به جای یك بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شكل زیر حافظه BIOS را كه نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

سخت افزار حافظه حافظه با هدف ذخیره سازی اطلاعات ( دائم ، موقت ) در كامپیوتر استفاده می گردد. از انواع متفاوتی حافظه دركامپیوتر استفاده می گردد .
• RAM
• ROM
• Cache
• Dynamic RAM
• Static RAM
• Flash Memory
• Virtual Memory
• Video Memory
• BIOS
هر یك از دستگاههای فوق مدل های متفاوتی از حافظه را استفاده می نمایند. مبانی اولیه حافظه با اینكه می توان واژه ” حافظه ” را بر هر نوع وسیله ذخیره سازی الكترونیكی اطلاق كرد، ولی اغلب از واژه فوق برای مشخص نمودن حافظه های سریع با قابلیت ذخیره سازی موقت استفاده بعمل می آید.در مرحله بعد كامپیوتر BIOS را ازطریق ROM فعال خواهد كرد. BIOS اطلاعات اولیه و ضروری در رابطه با دستگاههای ذخیره سازی، وضعیت درایوی كه می بایست فرآیند بوت از آنجا آغاز گردد، امنیت و ; را مشخص می نماید. در مرحله بعد سیستم عامل از هارد به درون حافظه RAM استفرار خواهد یافت . بخش های مهم و حیاتی

سیستم عامل تا زمانیكه سیستم روشن است در حافظه ماندگار خواهند بود. در ادامه و زمانیكه یك برنامه توسط كاربر فعال می گردد، برنامه فوق در حافظه RAM مستقر خواهد شد. پس از استقرار یك برنامه در حافظه و آغاز سرویس دهی توسط برنامه مورد نظر در صورت ضرورت فایل های مورد نیاز برنامه فوق، در حافظه مستفر خواهند شد.و در نهایت زمانیكه به حیات یك برنامه خاتمه داده می شود (Close) و یا یك فایل ذخیره می گردد ، اطلاعات بر روی یك رسانه ذخیر

ه سازی دائم ذخیره و نهایتا” حافظه از وجود برنامه و فایل های مرتبط ، پاكسازی ! می گردد. همانگونه كه اشاره گردید در هر زمان كه اطلاعاتی ، مورد نیاز پردازنده باشد، می بایست اطلاعات درخواستی در حافظه RAM مستقر تا زمینه استفاده از آنان توسط پردازنده فراهم گردد. چرخه درخواست اطلاعات موجود درRAM توسط پردازنده ، پردازش اطلاعات توسط پردازنده و نوشتن اطلاعات جدید در حافظه یك سیكل كاملا” پیوسته بوده و در اكثر كامپیوترها سیكل فوق ممكن

است در هر ثانیه میلیون ها مرتبه تكرار گردد. نیاز به سرعت دلیلی بر وجود حافظه های متنوع چرا حافظه در كامپیوتر تا بدین میزان متنوع و متفاوت است ؟ در پاسخ می توان به موارد ذیل اشاره نمود: پردازنده های با سرعت بالا نیازمند دستیابی سریع و آسان به حجم بالائی از داده ها بمنظور افزایش بهره وری و

كارآئی خود می باشند.. در صورتیكه پردازنده قادر به تامین و دستیابی به داده های مورد نیاز در زمان مورد نظر نباشد، می بایست عملیات خود را متوقف و در انتظار تامین داده های مورد نیاز باشد. پردازند ه های جدید وبا سرعت یك گیگا هرتز به حجم بالائی از داده ها ( میلیارد بایت در هر ثانیه ) نیاز خواهند داشت .

پردازنده هائی با سرعت اشاره شده گران قیمت بوده و قطعا” اتلاف زمان مفید آنان مطلوب و قابل قبول نخواهد بود. طراحان كامپیوتر بمنظور حل مشكل فوق ایده ” لایه بندی حافظه ” را مطرح نموده اند. در این راستا از حافظه های گران قیمت با میزان اندك استفاده و از حافظه های ارزان تر در حجم بیشتری استفاده بعمل می آید.. حافظه RAM بتنهائی دارای سرعت مناسب برای همسنگ شدن با سرعت پردازنده نیست . بهمین دلیل است كه از حافظه های Cache استفاده می گردد.

برای دریافت اینجا کلیک کنید

سوالات و نظرات شما

برچسب ها

سایت پروژه word, دانلود پروژه word, سایت پروژه, پروژه دات کام,

آخرین مطالب وبلاگ

نظرات مشتریان

سلام و خسنه نباشید اول بگم که سایت خوب و جامع و با امکانات خیلی خوبی دارید.. مهمتر اینکه کاربر رو بعد از خریدش رها نمیکنید و واقعا پاسخگو هستید. موفق باشید ممنون. امیر

Copyright © 2014 cpro.ir